IGBT的损耗主要由通态损态和开关损耗组成，不同的开关频率，开关损耗和通态损耗所占的比例不同。而决定IGBT通态损耗的饱和压降VCE(sat)和决定IGBT开关损耗的开关时间（ton，toff）又是一对矛盾，因此应根据不同的开关频率来选择不同特征的IGBT。在低频如fk北京英飞凌IGBT模块。对于英飞凌产品需选用后缀为“KE3”或“DLC”系列IGBT；但北京英飞凌IGBT模块后缀为“KT3”系列饱和压降与“KE3”系列饱和压降相近，“KT3”比“KE3”开关损耗降低20％左...

由于北京英飞凌IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸；在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块；尽量在底板良好接地的情况下操作。在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压...

北京英飞凌IGBT模块绝缘栅双极型晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor）,它是八十年代初诞生，九十年代迅速发展起来的新型复合器件。英飞凌IGBT模块将MOSFET与GTR的优点集于一身，既有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动型，又具有通态压降低、高电压、大电流的优点。接下来小编将以英飞凌IGBT模块为例，为大家简单介绍一下关于北京英飞凌IGBT模块选型、保存以及使用的相关信息！1、北京英飞凌IGBT模块的选型要点：英飞凌模块选型的电压规格...

北京英飞凌IGBT模块是绝缘栅双极型晶体管(IsolatedGateBipolarTransistor),它是八十年代初诞生，九十年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件。IGBT将MOSFET与GTR的优点集于一身，既有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、电压驱动型，又具有通态压降低、高电压、大电流的优点。功率从五千瓦到几百千瓦的应用场合。IGBT器件将不断开拓新的应用领域，为节能、为新能源、工业自动化(高频电焊机,高频超声波,逆变器,斩波器,UPS/EPS,感应加热)提供了新的...

CM200DU-24H三菱IGBT模块，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。CM200DU-24H三菱IGBT模块非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电...

1引言IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。IGBT是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压，只有μ*的漏电流流过，基本上不消耗功率。但IGBT的栅极-发射极间存在着较大的寄生电容（几千至上万pF），在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数A的充放电电流，才能...

北京英飞凌IGBT模块判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G)其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。北京英飞凌IGBT模块判断好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接三菱IGBT的集电极(C)，红表笔接IGBT的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。用手指...

可控硅元件的主要弱点是承受过电流和过电压的能力很差，即使短时间的过流和过电压，也可能导致可控硅的损坏，所以必须对它采用适当的保护措施。1.过电流保护可控硅出现过电流的主要原因是过载、短路和误触发。过电流保护有以下三种：*种是快速容断器：快速容断器中的溶丝是银质的，只要选用适当，在同样的过电流倍数下，它可以在可控硅损坏前先溶断，从而保护了晶闸管。第二种是过电流继电器：当电流超过过电流继电器的整定值时，过电流继电器就会动作，切断保护电路。但由于继电器动作到切断电路需要一定时间，所...

三相整流桥分为三相全波整流桥（全桥）和三相半波整流桥（半桥）两种。选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。对输出电压要求高的整流电路需要装电容器，对输出电压要求不高的整流电路的电容器可装可不装。整流这一个术语，它是通过二极管的单向导通原理来完成工作的，通俗的来说二极管它是正向导通和反向截止，也就是说，二极管只允许它的正极进正电和负极进负电。二极管只允许电流单向通过，所以将其接入交流电路时它能使电路中的电流只按单向流动，即所谓“整流”，用两只管是半泼整流，四只是全泼整流。三相整流桥...

三相整流桥的引脚采用纯金电镀，进一步增强了引脚的导电、导热和抗氧化性能，并且增加了它的可焊性和焊接度。采用新型铝基覆铜板结构，芯片直接焊在铝基覆铜板上，桥堆工作时，芯片通电所产生的热量直接由铝基板迅速传给散热器（热阻比老结构的MT3516要小很多）。因此大大降低了桥堆自身的壳温，从面提高了桥堆的实际工作效率和可靠性及使用寿命。三相整流桥模块化结构提高了产品的密集性、安全性和可靠性，同时也可降低装置的生产成本，缩短新产品进入市场的周期，提高企业的市场竞争力。且模块的主电子、控制...

目前，恒温干燥箱广泛应用于工业、农业、医疗、高校及科研行业中。而2O世纪9O年代前生产的恒温干燥箱，很多控制电路是由522型直流继电器、6P1电子管、温控调节器（或电节点温度计）、转换开关及变压器等组成的，如NXG101一I（202一I）型、NXG101一Ⅲ（202一Ⅲ）型、CS一101型及101型等恒温干燥箱。但恒温干燥箱使用时间一长，必然会有损坏现象发生。而恒温干燥箱的损坏其实基本上是控制电路的损坏。当上述型号的恒温干燥箱一旦损坏时，往往因522型直流继电器、6P1或6P...

生产厂家对IGBT模块提供的安全工作区有严格的限制条件，且IGBT模块承受过电流的时间仅为几微秒，耐过流量小，因此使用IGBT模块首要注意的是过流保护。产生过流的原因大致有：晶体管或二极管损坏、控制与驱动电路故障或干扰等引起误动、输出线接错或绝缘损坏等形成短路、输出端对地短路与电机绝缘损坏、逆变桥的桥臂短路等。对IGBT模块的过流检测保护分两种情况：(1)、驱动电路中无保护功能。这时在主电路中要设置过流检测器件。对于小容量变频器，一般是把电阻R直接串接在主电路中，通过电阻两端...

高压可控硅软起动器是一种集软起动和多种保护功能于一体的新型高压电机软起动装置。它不仅仅能在整个的起动过程中平滑地起动电机，而且可以根据电动机的负载的特性来调节起动过程中的参数，并且它的结构简单、价格低廉、工作可靠，因此在各个生产领域中得到了越来越广泛的应用。在高压可控硅软起动装置中，如果选取额定电流太大的高压可控硅，则没有充分利用高压可控硅的性能，并且装置成本太高；如果选取额定电流太小的高压可控硅，则装置运行不可靠，严重时会烧毁高压可控硅。因此，高压可控硅额定电流的选择非常关...

可控硅模块属于功率器件领域，是一种功率半导体开关元件，又叫做晶闸管，可控硅是简称。按其工作特性，可控硅可分为单向可控硅(SCR)和双向可控硅(TRIAC)。可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极、阳极A、阴极K和控制极G。可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，且动作快、寿命长、可靠性好。在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有可控硅的身影。可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。单...

IGBT模块散热技术散热的过程1IGBT在结上发生功率损耗;2结上的温度传导到IGBT模块壳上;3IGBT模块上的热传导散热器上;4散热器上的热传导到空气中。散热环节影响散热程度影响因数解决办法1总发热功率zui主要因数运行电流电压改变电压电流开关频率2结壳热阻次要模块工艺3壳到散热器热阻次要散热器材料粘贴材料4散热器到环境热阻zui要散热方式散热材料散热方式散热材料如果IGBT模块一定时，IGBT结壳之间的热阻一定，IGBT壳与散热器的热阻与散热器材料和接触程度两个方面有关...

晶闸管是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上*晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示。晶闸管属于硅元件，很多人也称它为“可控硅”。硅元件的普遍特性是过载能力差，因此在使用过程...

研发进展IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输进阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低本钱技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。1、低功率IGBTIGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为满足家电行业的发...

富士功率模块选型简介一、PIM模块为了降低变频骆的成本，并减少变频器的尺寸。寓士电机和欧派克采用PIM模块结构。包括三相全波整流和6—7个IGBT。即变频器的主回路全部安装在一个模块上，在小功率变频器内（11KW以下）均用PIM模块较为合算。富士电机现正常供货的是S系列7个单元IGBT。在中国市场上己用了几年时间。应用技术亦比较成熟。而U系列的PIM模块供货现尚在努力之中．现主要推出S系列五种型号——面向小功率变频器。二、U系列IGBT模块U系列为富士电机第五代IGBT模块。...

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、...