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根据开关频率选择不同系列的北京英飞凌IGBT模块
点击次数:1292 发布时间:2016-09-23
 
  
  IGBT的损耗主要由通态损态和开关损耗组成,不同的开关频率,开关损耗和通态损耗所占的比例不同。而决定IGBT通态损耗的饱和压降VCE(sat)和决定IGBT开关损耗的开关时间(ton,toff)又是一对矛盾,因此应根据不同的开关频率来选择不同特征的IGBT。
  
  在低频如fk<10KHz时,通态损耗是主要的,这就需要选择低饱和压降型北京英飞凌IGBT模块。对于英飞凌产品需选用后缀为“KE3”或“DLC”系列IGBT;但北京英飞凌IGBT模块后缀为“KT3”系列饱和压降与“KE3”系列饱和压降相近,“KT3”比“KE3”开关损耗降低20%左右,因而
  
  “KT3”将更有优势。“KT3”由于开关速度更快,对吸收与布线要求更高。
  
  若开关频率在10KHz-15KHz之间,请使用英飞凌后缀为“DN2”和“KT3”的IGBT模块,今后对于fk≤15KHz的应用场合,建议客户逐步用“KT3”取代“KE3”,“DLC”或“DN2”。
  
  当开关频率fk≥15KHz时,开关损耗是主要的,通态损耗占的比例比较小。选择英飞凌短拖尾电流“KS4”高频系列。当然对于fk在15KHz-20KHz之间时,“DN2”系列
  
  也是比较好的选择。英飞凌“KS4”高频系列,硬开关工作频率可达40KHz;若是软开关,可工作在150KHz左右。
  
  北京英飞凌IGBT模块在高频下工作时,其总损耗与开关频率的关系比较大,因此若希望IGBT工作在更高的频率,可选择更大电流的IGBT模块;另一方面,软开关主要是降低了开关损耗,可使IGBT模块工作频率大大提高。随着IGBT模块耐压的提高,IGBT的开关频率相应下降。

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