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CM200DU-24H三菱IGBT模块广泛使用在什么应用当中
点击次数:917 发布时间:2018-01-17
   CM200DU-24H三菱IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用CM200DU-24H三菱IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。
  
  CM200DU-24H三菱IGBT模块发展趋向是高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠、低成本为目标的,特别是发展高压变频器的应用,简化其主电路,减少使用器件,提高可靠性,降低制造成本,简化调试工作等,都与IGBT有密切的内在,所以世界各大器件公司都在奋力研究、开发,予估近2-3年内,会有突破性的进展。目今已有适用于高压变频器的有电压型HV-IGBT,IGCT,电流型SGCT等。
  
  CM200DU-24H三菱IGBT模块正是作为顺应这种要求而开发的,它是由MOSFET和PNP晶体管复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点,又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点,频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十KHz频率范围内。基于这些优异的特性,CM200DU-24H三菱IGBT模块一直广泛使用在超过300V电压的应用中,模块化的IGBT可以满足更高的电流传导要求,其应用领域不断提高,今后将有更大的发展。

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