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  • MG900GXH1US53东芝IGBT模块MG900GXH1US53

    东芝IGBT模块MG900GXH1US53

    东芝IGBT模块MG900GXH1US53;TOSHIBA东芝高压IGBT模块MG900GXH1US53;北京京诚宏泰科技有限公司专业销售MG900GXH1US53

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  • MG75Q2YS50TOSHIBA东芝IGBT模块MG75Q2YS50

    TOSHIBA东芝IGBT模块MG75Q2YS50

    IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • MG200Q2YS40TOSHIBA东芝IGBT模块MG200Q2YS40

    TOSHIBA东芝IGBT模块MG200Q2YS40

    IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • MG600Q1US41东芝IGBT模块

    东芝IGBT模块

    IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • MG50Q2YS40东芝IGBT模块MG50Q2YS40

    东芝IGBT模块MG50Q2YS40

    IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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