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技术文章/ Technical Articles

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2014
10-9

IGBT模块的分类

研发进展IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输进阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低本钱技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。1、低功率IGBTIGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为满足家电行业的发...
2014
7-16

富士功率模块选型简介

富士功率模块选型简介一、PIM模块为了降低变频骆的成本，并减少变频器的尺寸。寓士电机和欧派克采用PIM模块结构。包括三相全波整流和6—7个IGBT。即变频器的主回路全部安装在一个模块上，在小功率变频器内（11KW以下）均用PIM模块较为合算。富士电机现正常供货的是S系列7个单元IGBT。在中国市场上己用了几年时间。应用技术亦比较成熟。而U系列的PIM模块供货现尚在努力之中．现主要推出S系列五种型号——面向小功率变频器。二、U系列IGBT模块U系列为富士电机第五代IGBT模块。...
2013
10-31

IGBT原理，作用，运用

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、...

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