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IGBT模块FZ1000R33HL3
点击次数:607 更新时间:2023-11-17

IGBT模块FZ1000R33HL3

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品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半桥模块,最大规格1mΩ

英飞凌工业半导体 2023-11-10 08:01 

新品

采用 1200V SiC M1H芯片的

62mm半桥模块,最大规格1mΩ

图片


1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块现已上市。由于采用了 M1H芯片技术,模块在VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口方面性能得到了改善。这些模块还提供预涂导热界面材料(TIM)版本。


相关产品:

  • 1,2,6mΩ,1200V 62mm半桥模块

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产品特点

集成体二极管,优化了热阻

最高的防潮性能

栅极氧化层可靠性

抗宇宙射线能力强

符合RoHS标准要求


应用价值

按照应用苛刻条件优化

更低的电压过冲

导通损耗最小

高速开关,损耗极低

对称模块设计实现对称的上下桥臂开关行为

标准模块封装技术确保可靠性

62毫米高产量生产线上生产


竞争优势

通过碳化硅扩展成熟的62毫米封装的产品,以满足快速开关要求和低损耗的应用。

电流密度最高,防潮性能强


应用领域


储能系统

电动汽车充电

光伏逆变器

UPS



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