IGBT模块FZ1000R33HL3

更新时间：2023-11-17

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品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半桥模块，最大规格1mΩ

新品

采用 1200V SiC M1H芯片的

62mm半桥模块，最大规格1mΩ

1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块现已上市。由于采用了 M1H芯片技术，模块在VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口方面性能得到了改善。这些模块还提供预涂导热界面材料（TIM）版本。

相关产品：

产品特点

集成体二极管，优化了热阻

最高的防潮性能

栅极氧化层可靠性

抗宇宙射线能力强

符合RoHS标准要求

应用价值

按照应用苛刻条件优化

更低的电压过冲

导通损耗最小

高速开关，损耗极低

对称模块设计实现对称的上下桥臂开关行为

标准模块封装技术确保可靠性

62毫米高产量生产线上生产

竞争优势

通过碳化硅扩展成熟的62毫米封装的产品，以满足快速开关要求和低损耗的应用。

电流密度最高，防潮性能强

应用领域

储能系统

电动汽车充电

光伏逆变器

UPS