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　　可控硅模块在控温、调光、励磁、电镀、充放电、电焊机、等离子拉弧等领域有着广泛的应用，它能够起到对电力能量大小进行调整与变换的作用，在工业、通讯等场合作用极大。

　　

　　可控硅模块的主要参数：

　　

　　1、额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。

　　

　　2、反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。

　　

　　3、正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。

　　

　　4、维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的小阳极正向电流。

　　

　　5、控制极触发电流Ig1、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极--阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的zui小控制极电流和电压。

　　

　　可控硅模块六大使用注意事项：

　　

　　1、线路中必须要设有过压过流保护措施，串并联使用时也必须要有均流措施。

　　

　　2、如果使用万用表来判断器件是否损坏，则门阴间电阻，要有十几或者几十欧姆，否则门极很容易短路或者断路，阴阳极间的电阻，也要大于1MΩ，电阻小于1MΩ表明器件极间绝缘性能不良，电阻接近零时则表明器件已击穿，发现有断路或者短路现象时，则要立即更换。

　　

　　3、严禁使用兆欧表来检查元件的绝缘情况。

　　

　　4、对于电流为以上的可控硅模块就要安装散热器，并且其冷却条件要满足相关规定。

　　

　　5、按照相关规定对主电路中的可控硅模块采用过压以及过流保护装置。

　　

　　6、要防止出现可控硅模块控制极的正向过载以及反向击穿现象。