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三菱IGBT模块一般保存在什么场所
点击次数:118 发布时间:2021-01-27
  CM200DU-24H三菱IGBT模块是一种功率晶体管,运用此种晶体设计之UPS可有效提升产品效能,使电源品质好、效率高、热损耗少、噪音低、体积小与产品寿命长等多种优点。
 
  CM200DU-24H三菱IGBT模块主要用于变频器逆变和其他逆变电路。将直流电压逆变成频率可调的交流电。它有阴极,阳极,和控制极。关断的时候其阻抗是非常大的基本是断路,接通的时候存在很小的电阻,通过接通或断开控制极来控制阴极和阳极之间的接通和关断。
 
  CM200DU-24H三菱IGBT模块是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融和了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。
 
  电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。
 
  一般保存的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿;
 
  尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
 
  在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;
 
  保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物;
 
  装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。

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