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IGBT逆变模块的损坏多半是由于什么造成?
点击次数:1018 发布时间:2020-03-19
  IGBT逆变模块损坏多半是由于驱动电路损坏致使1个桥臂上的2个开关器件同一时间导通所造成的。变频器逆变功率模块损坏是不管在矢量变频器还是节能变频器等其他变频设备上常见到的故障,解决这种问题只有查到损坏的根本原因,并首先消除再次损坏的可能,才能更换逆变模块,否则换上去的新模块会再损坏。
 
  IGBT逆变模块的一大缺陷就是存在中频变压器偏磁问题,正常工作情况下,功率开关器件在工作前半周与后半周导通脉宽相等,饱和压降相等,前后半周交替通断,变压器磁心中没有剩磁。但是,如果驱动电路输出脉宽不对称或其他原因,就会产生正负半周不平衡问题,此时,变压器内的磁心会在某半周积累剩磁,出现“单向偏磁”现象,经过几个脉冲,就可以使变压器单向磁通达到饱和,变压器失去作用,等效成短路状态。这对于IGBT来说,极其危险,可能引发爆炸。
 
  桥式电路的另一缺点是容易产生直通现象。直通现象是指同桥臂的IGBT在前后半周导通区间出现重叠,主电路板路,巨大的加路电流瞬时通过IGBT。
 
  针对上述两点不足,从驱动的角度出发、设计的驱动电路必须满足四路驱动的波形完全对称,严格限制大工作脉宽,保证死区时间足够.
 
  针对IGBT逆变模块,用分立元件设计出IGBT模块的驱动电路。四路驱动波形严格一致,相位精确,栅极信号前沿陡峭。实验果表明:研制的驱动电路完全符合IGBT的驱动要求,能够使IGBT可靠工作,具有一定的实用价值。

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