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可控硅模块对于过流和过电压有什么保护措施
点击次数:485 发布时间:2018-07-26
  
  
  可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类。从具体的用途上区分,可以分为:普通晶闸管模块(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块(MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块(也就是通常所说的电焊机专用模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块(MDS)、单相(三相)整流桥模块(MDQ)、单相半控桥(三相全控桥)模块(MTS)以及肖特基模块等。
  
  可控硅模块的主要弱点是承受过电流和过电压的能力很差,即使短时间的过流和过电压,也可能导致可控硅模块的损坏,所以必须对它采用适当的保护措施。下面就来看一下可控硅模块的两大保护措施:
  
  1.过电流保护
  
  可控硅模块出现过电流的主要原因是过载、短路和误触发。过电流保护有以下三种:
  
  种是快速容断器:快速容断器中的溶丝是银质的,只要选用适当,在同样的过电流倍数下,它可以在可控硅模块损坏前先溶断,从而保护了晶闸管。
  
  第二种是过电流继电器:当电流超过过电流继电器的整定值时,过电流继电器就会动作,切断保护电路。但由于继电器动作到切断电路需要一定时间,所以只能用作可控硅模块的过载保护。
  
  第三种是过载截止保护:利用过电流的信号将可控硅模块的触发信号后移,或使可控硅模块得导通角减小,或干脆停止触发保护可控硅模块。
  
  2.过电压保护
  
  过电压可能导致可控硅模块的击穿,其主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或可控硅模块导通与截止间的转换。对过压保护可采用两种措施:
  
  种:阻容保护
  
  第二种:硒堆保护

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