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    CM200E3Y-12E北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM200E3Y-12E。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,

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  • igbt模块CM150E3U-12E三菱igbt斩波模块CM150E3U-12E

    CM150E3U-12E北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM150E3U-12E。型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,

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  • igbt模块CM150E3Y-12E三菱igbt斩波模块CM150E3Y-12E

    CM150E3Y-12E北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM150E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,

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  • igbt模块CM100E3Y-12E三菱igbt斩波模块CM100E3U-12E

    CM100E3U-12E北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM100E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,

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    CM75E3Y-12E北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM75E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,

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    CM75E3U-12E北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM50E3U-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,

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    CM50E3Y-12E北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM50E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,

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