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CM200DU-24H三菱IGBT模块
CM200DU-24H三菱IGBT模块，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小
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三菱IGBT模块CM600DY-24S
三菱IGBT模块CM600DY-24S；北京京诚宏泰科技有限公司专业销售IGBT模块CM600DY-24S；日本三菱1200V大功率IGBT模块CM600DY-24S；大功率变频器常用IGBT模块CM600DY-24S
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三菱IGBT模块CM300DY-24J
三菱IGBT模块CM300DY-24J；北京京诚宏泰科技有限公司专业销售IGBT模块CM300DY-24J；日本三菱1200V大功率IGBT模块CM300DY-24J；大功率变频器常用IGBT模块CM300DY-24J
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三菱IGBT模块CM600DY-24H
三菱IGBT模块CM600DY-24H；北京京诚宏泰科技有限公司专业销售IGBT模块CM600DY-24H；日本三菱1200V大功率IGBT模块CM600DY-24H；大功率变频器常用IGBT模块CM600DY-24H
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三菱IGBT模块CM1400DU-24NF
三菱CM1400DU-24NF北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM1400DU-24NF；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM1200E4C-34N
三菱CM1200E4C-34N北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM1200E4C-34N；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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CM900DU-24NF三菱IGBT模块
三菱CM900DU-24NF北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM900DU-24NF；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM300DY-28H
三菱CM300DY-28H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM300DY-28H；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM400DY-34A
三菱CM400DY-34A北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DY-34A；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM400DY-34H
三菱CM400DY-34H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DY-34H；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM400DU-34KA
三菱CM400DU-34KA北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DU-34KA；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM400DY-50H
三菱CM400DY-50HH北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DY-50H；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM400DY-66H
三菱CM400DY-66H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DY-66H；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM600DY-34H
三菱CM600DY-34H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM600DY-34H；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM800E3UA-24F
三菱CM800E3UA-24FF北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM800E3UA-24F；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM800E2UA-24F
三菱CM800E2UA-24F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM800E2UA-24F；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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