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  • FZ200R65KF2京诚宏泰英飞凌IGBT模块FZ200R65KF2

    京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售英飞凌IGBT模块FZ200R65KF2

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    2024-01-19

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  • FZ1600R12KF4英飞凌IGBT模块FZ1600R12KF4

    北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售英飞凌大功率IGBT模块FZ1600R12KF4

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  • FF900R12IE4英飞凌IGBT模块FF900R12IE4

    北京京诚宏泰科技原装正品现货销售英飞凌IGBT模块FF900R12IE4

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  • FF450R12KT4英飞凌IGBT模块FF450R12KT4

    英飞凌IGBT模块FF450R12KE4,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

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  • FF450R12KE4英飞凌IGBT模块FF450R12KE4

    英飞凌IGBT模块FF450R12KE4,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

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  • BSM300GA170DLC英飞凌IGBT模块BSM300GA170DLC

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • BSM300GB120DLC英飞凌IGBT模块BSM300GB120DLC

    英飞凌IGBT模块BSM300GB120DLC IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

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  • BSM200GB120DN2英飞凌IGBT模块BSM200GB120DN2

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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