IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小

北京京诚宏泰科技原装正品现货销售英飞凌IGBT模块BSM300GA170DLC 

英飞凌单管IGBT模块BSM300GA170DLC 

集电极—射极击穿电压: 1700 V

集电极—射极饱和电压: 3.2 V

集电极zui大连续电流 Ic: 300 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

功率耗散: 1.4 KW

封装 / 箱体: IS5a ( 62 mm )

集电极—发射极zui大电压 VCEO: 1200 V

栅极/发射极zui大电压: 20 V

zui大工作温度: + 125℃

zui小工作温度: - 40℃

BSM200GA170DN2 200A/1700V/1U 
BSM300GA120DN2 300A/1200V/1U 
BSM300GA170DN2 300A/1700V/1U 
BSM400GA120DN2 400A/1200V/1U 
BSM400GA170DLC 400A/1700V/1U 
BSM200GA120DLC 200A/1200V/1U 
BSM200GA170DLC 200A/1700V/1U 
BSM300GA120DLC 300A/1200V/1U 
BSM300GA170DLC 300A/1700V/1U