英飞凌IGBT模块FF450R12KE4，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

北京京诚宏泰科技原装正品现货销售英飞凌IGBT模块FF450R12KE4

英飞凌IGBT模块FF450R12KE4技术参数

集电极—射极击穿电压: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 2.15 V

集电极zui大连续电流 Ic: 450A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

功率耗散: 1.4 KW

封装 / 箱体: IS5a ( 62 mm )

集电极—发射极zui大电压 VCEO: 1200 V

栅极/发射极zui大电压: 20 V

zui大工作温度: + 125℃

zui小工作温度: - 40℃

适用于变频器，风力发电，低频软开关

北京京诚宏泰科技原装正品现货销售英飞凌Infineon各系列功率模块：

IGBT模块；

PIM模块；

可控硅模块；

整流桥模块；

二极管模块

英飞凌IGBT模块系列型号：

FF75R12RT4
FF75R12YT3
FF100R12RT4
FF100R12KS4
FF100R12YT3
FF150R12RT4
FF150R12KE3G
FF150R12KS4_B2
FF150R12KS4
FF150R12KT3G
FF150R12YT3
FF150R12ME3G
FF150R12MS4G
FF200R12KE3
FF200R12KE4
FF200R12KS4
FF200R12KT3_E
FF200R12KT3
FF200R12KT4
FF200R12MT4
FF225R12ME3
FF225R12ME4_B11
FF225R12ME4
FF225R12MS4
FF300R12KE3
FF300R12KE4_B2
FF300R12KE4
FF300R12KS4
FF300R12KT3_E
FF300R12KT3
FF300R12KT4
FF300R12ME3
FF300R12ME4_B11
FF300R12ME4
FF300R12MS4
FF400R12KE3_B2
FF400R12KE3
FF400R12KT3_E
FF400R12KT3
FF400R12KL4C
FF450R12KE4
FF450R12KT4
FF450R12ME3
FF450R12ME4_B11
FF450R12ME4