IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小

北京京诚宏泰科技原装正品现货供应三菱IGBT模块CM100E3U-12H 

MITSUBISHI IGBT MODULES

CM100E3U-12H 产品特点：

• Low Drive Power
• Low VCE(sat)
• Discrete Super-Fast Recovery Free-Wheel Diode
• High Frequency Operation
• Isolated Baseplate for Easy Heat Sinking

三菱推出开关频率20～ 60KHz的NFH及NFM系列IGBT，

应用于逆变焊机及医疗仪器 特征：

● 采用快速关断CSTBT硅片，目标开关频率20～ 60KHz

● 低电感封装技术

● 耐功率循环能力强（High Power Cycle）

● 宽范围的额定电流等级: 100A～400A/600V，100A～ 600A / 1200V

三菱IGBT模块目标应用：

● 医疗仪器，如 CT 和 MRI

● 逆变焊机

● 电信用UPS

CM100E3U-12H 产品参数：

VCES=600V   IC=100A

CM50E3Y-12E

CM50E3U-12E 
CM75E3U-12E

CM75E3Y-12E
CM100E3U-12E

CM100E3Y-12E 
CM150E3Y-12E

CM150E3U-12E 
CM200E3Y-12E

CM200E3U-12E
CM300E3Y-12E

CM300E3U-12E 
CM300E2U-12H

CM400YE2P-12F 
CM400YE2N-12F

CM300YE2N-12F 
CM300YE2P-12F

CM600YE2N-12F 
CM600YE2P-12F

CM110YE4-12F
CM150YE4-12F

CM165YE4-12F 
CM200YE4-12F