IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小

产品型号：MG200Q2YS40
厂商性质：经销商
更新时间：2024-01-19
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TOSHIBA东芝200A1200V IGBT模块MG200Q2YS40

High Power Switching Applications
Motor Control Applications

High input impedance
High speed : tf = 0.5µs (max)
trr = 0.5µs (max)
Low saturation voltage
: VCE (sat) = 4.0V (max)
Enhancement-mode
The electrodes are isolated from case

日本东芝 TOSHIBA IGBT 2单元600V系列：
MG25J2YS9	MG50J2YS9	MG75J2YS9	MG100J2YS9
MG25J2YS91	MG50J2YS91	MG75J2YS91	MG100J2YS91
MG150J2YS2	MG200J2YS2	MG75J2YS45	MG100J2YS45
MG150J2YS21	MG200J2YS21	MG300J2YS91	MG300J2YS9
MG150J2YS45	MG200J2YS45	MG300J2YS45
日本东芝 TOSHIBA IGBT 2单元1200V系列：
MG15Q2YS9	MG25N2YS40	MG25Q2YS9	MG75Q2YS1
MG100Q2YS1	MG100Q2YS9	MG25Q2YS91	MG75Q2YS11
MG100Q2YS11	MG100Q2YS91	MG150Q2YS9	MG150Q2YS11
MG150Q2YS91	MG200Q2YS9	MG200Q2YS11	MG200Q2YS91