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TOSHIBA东芝IGBT模块MG200Q2YS40

TOSHIBA东芝IGBT模块MG200Q2YS40

型    号： MG200Q2YS40
报    价： 999
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小

详细资料：

TOSHIBA东芝200A1200V IGBT模块MG200Q2YS40

High Power Switching Applications 
Motor Control Applications 

High input impedance 
High speed : tf = 0.5µs (max) 
    trr = 0.5µs (max) 
Low saturation voltage 
 : VCE (sat) = 4.0V (max) 
Enhancement-mode 
The electrodes are isolated from case 

日本东芝 TOSHIBA IGBT 2单元600V系列：
MG25J2YS9MG50J2YS9MG75J2YS9MG100J2YS9
MG25J2YS91MG50J2YS91MG75J2YS91MG100J2YS91
MG150J2YS2MG200J2YS2MG75J2YS45MG100J2YS45
MG150J2YS21MG200J2YS21MG300J2YS91MG300J2YS9
MG150J2YS45MG200J2YS45MG300J2YS45　
日本东芝 TOSHIBA IGBT 2单元1200V系列：
MG15Q2YS9MG25N2YS40MG25Q2YS9MG75Q2YS1
MG100Q2YS1  MG100Q2YS9 MG25Q2YS91MG75Q2YS11
MG100Q2YS11  MG100Q2YS91 MG150Q2YS9 MG150Q2YS11
 MG150Q2YS91MG200Q2YS9MG200Q2YS11MG200Q2YS91

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