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  • igbt模块CM50DY-28H三菱IGBT模块CM50DY-28H

    三菱CM50DY-28H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM50DY-28H。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,

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  • igbt模块CM300E3U-24E三菱IGBT模块CM300E3U-24E

    三菱CM300E3U-24E北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM300E3U-24E。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,

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  • igbt模块 CM300DY-34A三菱IGBT模块 CM300DY-34A

    三菱 CM300DY-34A北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块 CM300DY-34A。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,

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    三菱CM200DY-24H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM200DY-24H。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,

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    三菱CM75DU-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM75DU-12F。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,

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    三菱CM100DU-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM100DU-12F。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,

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    三菱CM150DU-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM150DU-12F。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,

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    三菱CM200DU-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM200DU-12F。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,

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