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日立IGBT模块MBN1200E17D

日立IGBT模块MBN1200E17D

型    号: MBN1200E17D
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

详细资料:

北京京诚宏泰科技原装正品现货销售日立IGBT模块MBN1200E17D

VCES=1700V  ; IC=1200A

Silicon N-channel IGBT

∗ Low noise due to ultra soft fast recovery diode. 
∗ High reliability, high durability module. 
∗ High thermal fatigue durability.(delta Tc=70°C, N>30,000cycles) 
∗ Isolated heat sink (terminal to base).

∗ High speed, low loss IGBT module. 
∗ Low driving power due to low input  capacitance MOS gate. 

日立IGBT模块型号:

MBN200GS6AW、

MBN325A18、

MBN300GS6AW、

MBN1800D17、

MBN400GS6AW、

MBN200GS12AW、

MBN300GS12AW(BW)、

MBN400GS(NS)12AW(BW)、

MBN600GS(NS)12AW(BW)、

MBN800GS12AW(BW)、

MBN1000QS12AW(BW)、

MBN1000JS12AW、

MBN800GR17、

MBN1200GS(NS)12AW、

MBN325C20、

MBN400C20、

MBN500C20、

MBN600C20、

MBN600C33A、

MBN1200D25AW(B)、

MBN400D33、

MBN600D33、

MBN1200D33AW、

MBM100AS6、

MBM150GS6AW、

MBM200GS6AW、

MBM200BS6、

MBM200HS6A(6G)、

MBM300GS6AW、

MBM300HR6HY、

MBM300HS6B(6H)、

MBM400GS(JS)6AW、

MBM400HS6A、

MBM600GS6CW、

MBM75GS12A、

MBM100GS12A、

MBM150GS12AW(EBW)、

MBM200GS12AW(EBW)、

MBM200JS12AW、

MBM300GS(NS)12AW、

MBM400QS12AW、

MBM600QS12AW、

MBM300HT12、

MBM150HT12、

MBB100AS6、

MBB75GS12A、

MBB100GS12A。

 


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