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富士IGBT模块7MBI40N-120

富士IGBT模块7MBI40N-120

型    号: 7MBI40N-120
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

详细资料:

北京京诚宏泰科技有限公司原装正品销售富士7单元IGBT模块7MBI40N-120

Features
· High Speed Switching
· Voltage Drive
· Low Inductance Module Structure
· Dynamic Brake Circuit

日本fuji富士 IGBT 模块7单元600V系列:
7MBI100SA-0607MBI150SA-0607MBI200SA-0607MBI150U2E-060
7MBI200U2E-0607MBI75SA1207MBI100SA1207MBI100UE120
7MBI75N-0607MBI100N-0607MBI40N-1207MBI50N-120

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