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三菱IPM模块PM10CMA060
三菱IPM模块PM10CMA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，
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三菱IPM模块PM30CSJ060
三菱IPM模块PM30CSJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，
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三菱IPM模块PM20CSJ060
三菱IPM模块PM20CSJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，
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三菱IPM模块PM15CSJ060
三菱IPM模块PM15CSJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，
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三菱IPM模块PM10CSJ060
三菱IPM模块PM10CSJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，
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西门康IPM模块SKiiP603GD123-3DUW
西门康IPM智能功率模块SKiiP603GD123-3DUW，集成了驱动器和散热器的IGBT模块，适用于功率高达2.1MW的变流器 / 采用烧结技术，可靠性Z高 / 应用领域包括风能和太阳能发电系统及铁路应用 / 服务成本更低
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西门康IPM模块SKiiP603GD123-3DUL
西门康IPM智能功率模块SKiiP603GD123-3DUL，集成了驱动器和散热器的IGBT模块，适用于功率高达2.1MW的变流器 / 采用烧结技术，可靠性Z高 / 应用领域包括风能和太阳能发电系统及铁路应用 / 服务成本更低
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西门康IPM模块SKiiP1513GB172-3DW
西门康IPM智能功率模块SKiiP1513GB172-3DW，集成了驱动器和散热器的IGBT模块，适用于功率高达2.1MW的变流器 / 采用烧结技术，可靠性Z高 / 应用领域包括风能和太阳能发电系统及铁路应用 / 服务成本更低
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三菱IPM模块PM600DVA060
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘
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SEMIKRON赛米控IPM模块SKiiP2013GB172-4DL
赛米控IPM模块SKiiP2013GB172-4DL SKiiP智能功率模块技术的主要特征是： * IGBT芯片采用分散式的分佈,从而使得热密度Z小 * 无铜基板技术 * 弹簧压接技术 * 模块内部的桥臂单元平行分布从而得到很低的杂散电感. 这些技术特点使得SKiiP智能功率模块系统能获得更小的热阻，更强的热循环能力和负载循环能力（是普通模块的5倍）和更小的杂散电感。
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赛米控IPM模块SKIIP1513GB171-3DL
赛米控IPM模块SKIIP1513GB171-3DL SKiiP智能功率模块技术的主要特征是： * IGBT芯片采用分散式的分佈,从而使得热密度Z小 * 无铜基板技术 * 弹簧压接技术 * 模块内部的桥臂单元平行分布从而得到很低的杂散电感. 这些技术特点使得SKiiP智能功率模块系统能获得更小的热阻，更强的热循环能力和负载循环能力(是普通模块的5倍)和更小的杂散电感。
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赛米控IPM模块SKiiP1013GB172-2DL
MiniSKiiP IPM是应用在中功率方面的智能功率模块。每个IPM包含一个封闭的升级版的开关概念的没有HVIC SOI的门极驱动。门极驱动有3.3 V / 5 V / 15 V的信号输入接口，并且含有根据外部转轨电阻的短路电流保护装置。集成了对所有通道的欠电压封锁，以及通过设定死区时间的逻辑互锁来作为交叉导通保护。MiniSKiiP IPM适用于工业以及日常消费的应用
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三菱IPM模块PM100RLA120
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。 IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘
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PM300CLA120三菱IPM模块
PM300CLA120三菱IPM模块，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘
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三菱IPM模块PM10RHB120-2
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘。
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