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三菱IPM模块PM600DJA120
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。 IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘
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西门康IPM模块SKiiP2403GB172-4DL
西门康IPM模块SKiiP2403GB172-4DL MiniSKiiP IPM是应用在中功率方面的智能功率模块。每个IPM包含一个封闭的升级版的开关概念的没有HVIC SOI的门极驱动。门极驱动有3.3 V / 5 V / 15 V的信号输入接口，并且含有根据外部转轨电阻的短路电流保护装置。集成了对所有通道的欠电压
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TOSHIBA东芝IPM模块MIG300Q2CMB1X
京诚宏泰科技 针对工业电力电子领域以FUJI ELECTRIC富士电机IGBT模块（包括富士IPM模块、富士PIM模块、富士IGBT驱动IC）為核心，配合功率器件：晶闸管SCR、电力MOSFET、MOSFET模块，电力二极管、二极管模块、单相整流桥、叁相整流桥等。京诚宏泰科技 同时可以為客户提供IGBT驱动方案及配套单片机MCU、DSP、高速光耦、隔离光耦、电源IC、平波用铝电解电容
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供应赛米控Mini SKiiP-IPM模块SKiiP32NAB12T49
MiniSKiiP IPM是应用在中功率方面的智能功率模块。每个IPM包含一个封闭的升级版的开关概念的没有HVIC SOI的门极驱动。门极驱动有3.3 V / 5 V / 15 V的信号输入接口，并且含有根据外部转轨电阻的短路电流保护装置。集成了对所有通道的欠电压封锁，以及通过设定死区时间的逻辑互锁来作为交叉导通保护。MiniSKiiP IPM适用于工业以及日常消费的应用
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三菱IPM智能功率模块PM800HSA120
IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。 IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘。
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