IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小

北京京诚宏泰科技原装正品现货销售日立IGBT模块MBN1200E17D

VCES=1700V  ; IC=1200A

Silicon N-channel IGBT

∗ Low noise due to ultra soft fast recovery diode. 
∗ High reliability, high durability module. 
∗ High thermal fatigue durability.(delta Tc=70°C, N>30,000cycles) 
∗ Isolated heat sink (terminal to base).

∗ High speed, low loss IGBT module. 
∗ Low driving power due to low input  capacitance MOS gate. 

日立IGBT模块型号：

MBN200GS6AW、

MBN325A18、

MBN300GS6AW、

MBN1800D17、

MBN400GS6AW、

MBN200GS12AW、

MBN300GS12AW（BW）、

MBN400GS（NS）12AW（BW）、

MBN600GS（NS）12AW（BW）、

MBN800GS12AW（BW）、

MBN1000QS12AW（BW）、

MBN1000JS12AW、

MBN800GR17、

MBN1200GS（NS）12AW、

MBN325C20、

MBN400C20、

MBN500C20、

MBN600C20、

MBN600C33A、

MBN1200D25AW（B）、

MBN400D33、

MBN600D33、

MBN1200D33AW、

MBM100AS6、

MBM150GS6AW、

MBM200GS6AW、

MBM200BS6、

MBM200HS6A（6G）、

MBM300GS6AW、

MBM300HR6HY、

MBM300HS6B（6H）、

MBM400GS（JS）6AW、

MBM400HS6A、

MBM600GS6CW、

MBM75GS12A、

MBM100GS12A、

MBM150GS12AW（EBW）、

MBM200GS12AW（EBW）、

MBM200JS12AW、

MBM300GS（NS）12AW、

MBM400QS12AW、

MBM600QS12AW、

MBM300HT12、

MBM150HT12、

MBB100AS6、

MBB75GS12A、

MBB100GS12A。