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4500V三菱IGBT模块CM900HG-90H

4500V三菱IGBT模块CM900HG-90H

型    号: CM900HG-90H
报    价: 88
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

CM900HG-90H4500V三菱IGBT模块CM900HG-90H的详细资料:

北京京诚宏泰科技原装正品现货销售4500V三菱IGBT模块CM900HG-90H

IC..................................................................900 A
● VCES ...................................................... 4500 V
● High Insulated Type
● 1-element in a Pack
● AISiC Baseplate

CM600HG-90H

CM400HA-28H 400A/1400V/1U 
CM800HA-50H 800A/2500V/1U
CM600HA-28H 600A/1400V/1U 
CM1200HA-50H 1200A/2500V/1U
CM1000HA-28H 1000A/1400V/1U 
CM800HA-66H 800A/3300V/1U
CM400HA-34H 400A/1700V/1U 
CM1200HA-66H 1200A/3300V/1U
CM800HD-66H 800A/3300V/1U 
CM800HD-50H 800A/2500V/1U
CM1200HD-66H 1200A/3300V/1U 
CM1200HD-50H 1200A/2500V/1U


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