IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小

产品型号：FF400R06KE3
厂商性质：经销商
更新时间：2024-01-19
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北京京诚宏泰科技原装正品现货销售英飞凌IGBT模块FF400R06KE3

英飞凌600V 2单元IGBT模块FF400R06KE3

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集电极—射极击穿电压: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.90 V

集电极zui大连续电流 Ic: 400 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

典型应用
大功率变流器
电机传动
UPS系统
电气特性
增加阻断电压至650V
提高工作结温Tvjop
高短路能力，自限制短路电流

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