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英飞凌IGBT模块FF400R07KE4

英飞凌IGBT模块FF400R07KE4

型    号: FF400R07KE4
报    价: 81
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

详细资料:

北京京诚宏泰科技原装正品现货销售英飞凌IGBT模块FF400R07KE4

 

集电极—射极击穿电压: 650 V

集电极—射极饱和电压: 1.95 V

集电极zui大连续电流 Ic: 400 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

典型应用
大功率变流器
电机传动

UPS系统
电气特性
增加阻断电压至
650V
提高工作结温Tvjop
高短路能力,自限制短路电流

FF150R12KS4_B2
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