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三菱HVIGBT模块CM800E6C-66H

三菱HVIGBT模块CM800E6C-66H

型    号: CM800E6C-66H
报    价: 88
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

CM800E6C-66H三菱HVIGBT模块CM800E6C-66H的详细资料:

北京京诚宏泰科技原装正品销售三菱HVIGBT模块CM800E6C-66H

3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules

IC...................................................................800A
VCES ....................................................... 3300V
Insulated Type
1-element in a Pack (for brake)
AISiC Baseplate

       CM800E2C-66H  CM800E4C-66H

  CM800E6C-66H  CM400HG-66H

  CM1200HG-66H  CM400HB-90H

  CM600HB-90H   CM900HB-90H

  CM600HG-130H

 

IGBT模块以其驱动电路的小型化、系统的轻型和效率化,使用于电气铁路和大型产业机器等需要高耐压、大电流的功率电子设备,正在取代已往使用的晶闸管、GTO。推出HV(High Voltage)IGBT模块产品阵容。

特长

  • 采用平面IGBT
  • 采用软恢复二极管
  • AlSiC基板
  • 高绝缘包装(Viso 10.2kV,AC 1min)也是产品阵容
  • 工作温度范围的扩大

主要用途

变换器装置 / 换流器装置 / DC斩波器装置


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