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富士1单元IGBT模块1MBI300S-120

富士1单元IGBT模块1MBI300S-120

型    号: 1MBI300S-120
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

详细资料:

1200V / 300A 1 in one-package
Features
· High speed switching
· Voltage drive
· Low inductance module structure
Applications
· Inverter for Motor drive
· AC and DC Servo drive amplifier
· Uninterruptible power supply
· Industrial machines, such as Welding machines
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)

日本富士 IGBT 模块耐压600/1200/1400/1800/2000V系列:
日本富士 IGBT 1单元600V系列:
1MBH50D-0601MBH50-0901MBH60-1001MBH60D-100
1MBI30L-0601MBI50L-0601MBI75FE-0601MBI75L-060
1MBI100L-0601MBI150NH-0601MBI150NK-0601MBI200NH-060
1MBI200NK-0601MBI300L-0601MBI300N-0601MBI300F-060
1MBI400F-0601MBI400L-0601MBI400N-0601MBI600LP-060
1MBI600LN-0601MBI600NP-0601MBI600NN-060 
日本富士 IGBT 1单元1200V系列:
1MBI200L-1201MBI200N-1201MBI200S-1201MBI200F-120
1MBI300F-1201MBI300L-1201MBI300N-1201MBI300S-120
1MBI300JN-1201MBI300JB-1201MBI300NP-1201MBI300NN-120
1MBI400JN-1201MBI400JP-1201MBI400NP-1201MBI400NN-120
1MBI400NA-1201MBI400L-1201MBI400N-1201MBI400S-120
1MBI600PX-120   
日本富士 IGBT 1单元1400/1800/2000V系列:
1MBI600PX-1401MBI800PN-1801MBI400L-2001MBI400A-200

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