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英飞凌IGBT模块FZ1200R12HP4

英飞凌IGBT模块FZ1200R12HP4

型    号: FZ1200R12HP4
报    价: 85
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

FZ1200R12HP4英飞凌IGBT模块FZ1200R12HP4的详细资料:

英飞凌IGBT模块FZ1200R12HP4

IHM-BModulmitsoftschaltendemTrench-IGBT4
IHM-Bmodulewithsoft-switchingTrench-IGBT4

VCES= 1200V
IC nom= 1200A / ICRM= 2400A

FZ3600R17HP4 3600A,1700V,IGBT4
FZ1200R12HP4

FZ1500R33HE3 
FZ1500R33HE3

FZ2400R17HP4_B29 
FZ1600R17HP4_B2

FZ3600R12HP4 3600A,1200V,IGBT4 
FZ2400R12HP4_B9 


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