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赛米控IGBT模块SKM400GB176D

赛米控IGBT模块SKM400GB176D

型    号: SKM300GB176D
报    价: 999
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赛米控IGBT模块SKM400GB176D
北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块 IPM模块电容

详细资料:

赛米控IGBT模块SKM400GB176D

SEMIPACK系列产品包括晶闸管,整流桥和快速二极管模块。赛米控的晶闸管/二极管模块。由于这些年来各式各样的修改,SEMIPACK系列晶闸管/二极管模块拥有完善的可靠性的家簇,有着广泛的输出电流,从15A到1200A,电压等级从400V到2200V。SEMIPACK系列晶闸管/二极管模块常用在感应电机的软启动,晶体化AC电机控制器的线性整流,DC电机控制以及电源,温度控制



北京京诚宏泰科技有限公司销售赛米控IGBT模块SKM400GB176D

IGBT

IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

  • 优点:热稳定性好、安全工作区大。

  • 缺点:击穿电压低,工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

  • 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

  • 电动机

  • 不间断电源

  • 太阳能面板安装

  • 电焊机

  • 电源转换器与反相器

  • 电感充电器

  • 电磁炉


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德国 SEMIKRON 赛米控IGBT模块1200V/1700V系列:
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