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  • 1MBI600LP-060供应fuji富士igbt模块1MBI600LP-060

    供应fuji富士igbt模块1MBI600LP-060

    北京京诚宏泰科技有限公司代理富士1单元igbt模块1MBI600LP-060主要用于通用变频器、高压变频器、伺服驱动器 突波吸收电容等元件。业务遍及通用变频器、高压变频器、伺服驱动器 、UPS UPS、变频与传动、电 、变频与传动、电动汽车、电力统 动汽车、电力统SVG无功补偿装置、 无功补偿装置、 UPS UPS逆变器 逆变器/UPS/EPS /UPS/EPS、风电变流器、变频空调、光伏变流、

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  • 1MBI400L-060供应fuji富士igbt模块1MBI400L-060

    供应fuji富士igbt模块1MBI400L-060

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  • 1MBI300L-060供应fuji富士igbt模块1MBI200L-060

    供应fuji富士igbt模块1MBI200L-060

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  • 1MBI600LN-060供应fuji富士igbt模块

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  • 1MBI400F-060供应富士igbt模块1MBI400F-060

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    供应富士igbt模块1MBI300F-060

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  • 1MBI600NN-060供应富士igbt模块1MBI600NN-060

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  • 1MBI400NN-120代理富士igbt模块1MBI400NN-120

    代理富士igbt模块1MBI400NN-120

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  • 1MBI400F-060代理富士igbt模块1MBI400F-060

    代理富士igbt模块1MBI400F-060

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    代理富士igbt模块1MBI150L-060

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  • 1MBI400U4-120代理富士igbt模块1MBI400U4-120

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  • 1MBI100L-060代理富士igbt模块1MBI100L-060

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  • 2MBI400N-060代理富士igbt模块2MBI300N-120

    代理富士igbt模块2MBI300N-120

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  • 6MBI450U-170代理富士IGBT模块6MBI450U-170

    代理富士IGBT模块6MBI450U-170

    北京京诚宏泰科技有限公司代理富士IGBT模块6MBI450U-170

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  • 6MBI300U-120代理富士IGBT逆变模块6MBI300U-120

    代理富士IGBT逆变模块6MBI300U-120

    代理富士6单元IGBT逆变模块6MBI300U-120

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  • 1MBI400N-120富士IGBT模块1MBI400N-120

    富士IGBT模块1MBI400N-120

    北京京诚宏泰科技原装正品现货销售富士1单元IGBT模块1MBI400N-120

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  • 6MBI75S-120-50FUJI富士IGBT模块6MBI75S-120-50

    FUJI富士IGBT模块6MBI75S-120-50

    FUJI富士IGBT模块6MBI75S-120-50,N通道 IGBT 模块 发射极-集电极、六(3x双), 100A 1200V,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

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  • 7MBI40N-120富士IGBT模块7MBI40N-120

    富士IGBT模块7MBI40N-120

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • 2MBI300N-060富士IGBT模块2MBI300N-060

    富士IGBT模块2MBI300N-060

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • 1MBI300S-120富士1单元IGBT模块1MBI300S-120

    富士1单元IGBT模块1MBI300S-120

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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