富士IGBT模块2MBI600VN-120-50 2单元IGBT模块2MBI600VN-120-50 半桥逆变模块2MBI600VN-120-50 北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售2MBI600VN-120-50

富士IGBT模块2MBI450VN-120-50 2单元IGBT模块2MBI450VN-120-50 半桥逆变模块2MBI450VN-120-50 北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售2MBI450VN-120-50

富士IGBT模块6MBI450V-170-50 6单元IGBT模块6MBI450V-170-50 三相全桥逆变模块6MBI450V-170-50 北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售6MBI450V-170-50

富士IGBT模块6MBI300V-120-50 6单元IGBT模块6MBI300V-120-50 三相全桥逆变模块6MBI300V-120-50 北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售6MBI300V-120-50

富士IGBT模块6MBI225V-120-50 6单元IGBT模块6MBI225V-120-50 三相全桥逆变模块6MBI225V-120-50 北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售6MBI225V-120-50

富士IGBT模块7MBR100SB060，北京京诚宏泰科技有限公司销售7MBR100SB060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，

富士IGBT功率模块7MBR50SB060，北京京诚宏泰科技有限公司销售7MBR50SB060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，

富士IGBT功率模块7BMR20SC060，北京京诚宏泰科技有限公司销售7BMR20SC060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，