英飞凌IGBT模块BSM100GD120DN2；变频器、伺服器常用IGBT模块BSM100GD120DN2；德国英飞凌原装正品6单元IGBT模块BSM100GD120DN2；
BSM100GD120DN2参数：VCES=1200V;IC=100A

英飞凌IGBT模块BSM100GD120DN2

变频器、伺服器常用IGBT功率模块BSM100GD120DN2

北京京诚宏泰科技有限公司专业销售英飞凌IGBT模块BSM100GD120DN2

德国英飞凌6单元IGBT功率模块BSM100GD120DN2

1200V  100A 功率IGBT模块BSM100GD120DN2

IGBT（绝缘栅双极晶体管）是大规模功率集成半导体开关器件。IGBT采用MOS栅输入结构，开关主体是双极晶体管，它兼有MOSFET的高输入阻抗、电压控制特点，又具有双极晶体管低饱和压降的优势；其zui显著特点是高速、高压、大电流。功率开关在功率变换电路里处于核心地位，IGBT是当代功率开关的主流器件。功率半导体器件一直是西门子/Infineon的核心产品，西门子在*推出新型NPT-IGBT芯片，具有高可靠、低成本的*性能价格比。西门子可提供电流从6A到3600A；电压从600V、1200V、1700V、2500V、3300V、到6500V全系列各种封装形式的IGBT模块。频率特性高频差好好续表应用多级放大器中间级,低频放大输入级、输出级或作阻抗匹配用高频或宽频带电路及恒流源 

北京京诚宏泰科技有限公司专业销售

型号6U /600V/1200V 技术指标 型号 (6U /1200V/1700V) 技术指标 
BSM10GD60DLC 10A/600V/6U 
BSM25GD120DN2 25A/1200V/6U 
BSM15GD60DLC 15A/600V/6U 
BSM25GD120D2 25A/1200V/6U 
BSM25GD60DLC 25A/600V/6U 
BSM35GD120DN2 35A/1200V/6U 
BSM30GD60DLC 30A/600V/6U 
BSM35GD120DN2 35A/1200V/6U 
BSM50GD60DLC 50A/600V/6U 
BSM50GD120DN2 50A/1200V/6U 
BSM75GD60DLC 75A/600V/6U 
BSM75GD120DN2 75A/1200V/6U 
BSM100GD60DLC 100A/600V/6U 
BSM50GD120DLC 50A/1200V/6U 
BSM100GD120DN2 100A/1200V/6U 
BSM75GD120DLC 75A/1200V/6U 
BSM100GD120DLC 100A/1200V/6U 
BSM35GD120DLC 35A/1200V/6U 
BSM150GD60DLC 150A/600V/6U 
BSM50GD170DL 50A/1700V/6U 
BSM200GD60DLC 200A/600V/6U 
BSM75GD170DL 75A/1700V/6U 
BSM10GD120DN2 10A/1200V/6U 
BSM100GT170DL 100A/1700V/6U 
BSM15GD120D2 15A/1200V/6U 
BSM100GT120DN2 100A/1200V/6U 
BSM15GD120DN1 15A/1200V/6U 
BSM150GT120DN2 150A/1200V/6U 
BSM15GD120DN2 15A/1200V/6U 
BSM150GT170DL 150A/1700V/6U 
BSM25GD120DN1 25A/1200V/6U 
BSM200GT120DN2 200A/1200V/6U