IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小

北京京诚宏泰科技原装正品现货销售英飞凌IGBT模块BSM200GB120DN2

集电极—射极击穿电压: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 3.2 V

集电极zui大连续电流 Ic: 200 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

功率耗散: 1.4 KW

封装 / 箱体: IS5a ( 62 mm )

集电极—发射极zui大电压 VCEO: 1200 V

栅极/发射极zui大电压: 20 V

zui大工作温度: + 125℃

zui小工作温度: - 40℃

适用于电焊机 感应加热 高频率等高频硬开关

BSM50GB60DLC 50A/600V/2U 
BSM75GB170DN2 75A/1700V/2U 
BSM75GB60DLC 75A/600V/2U 
BSM100GB170DN2 100A/1700V/2U 
BSM100GB60DLC 100A/600V/2U 
BSM150GB170DN2 150A/1700V/2U 
BSM150GB60DLC 150A/600V/2U
BSM200GB170DLC 200A/1700V/2U 
BSM200GB60DLC 200A/600V/2U 
BSM25GAL120DN2 25A/1200V/2U 
BSM300GB60DLC 300A/600V/2U 
BSM50GAL120DN2 50A/1200V/2U 
BSM25GB120DN2 25A/1200V/2U 
BSM75GAL120DN2 75A/1200V/2U 
BSM35GB120DN2 35A/1200V/2U 
BSM100GAL120DN2 100A/1200V/2U 
BSM50GB120DN2 50A/1200V/2U 
BSM150GAL120DN2 150A/1200V/2U 
BSM75GB120DN2 75A/1200V/2U 
BSM200GAL120DN2 200A/1200V/2U 
BSM100GB120DN2K 100A/1200V/2U 
BSM300GAL120DN2 300A/1200V/2U 
BSM35GB120DLC 35A/1200V/2U 
BSM100GAL120DLCK 100A/1200V/2U 
BSM50GB120DLC 50A/1200V/2U 
BSM150GAL120DLC 150A/1200V/2U 
BSM75GB120DLC 75A/1200V/2U 
BSM200GAL120DLC 200A/1200V/2U 
BSM150GB170DLC 150A/1700V/2U 
BSM300GAL120DLC 300A/1200V/2U 
BSM100GB120DN2 100A/1200V/2U 
BSM75GAR120DN2 75A/1200V/2U 
BSM150GB120DN2 150A/1200V/2U 
BSM100GAR120DN2 100A/1200V/2U 
BSM200GB120DN2 200A/1200V/2U 
BSM150GAR120DN2 150A/1200V/2U 
BSM300GB120DN2 300A/1200V/2U 
BSM200GAR120DN2 200A/1200V/2U 
BSM100GB120(DLC 100A/1200V/2U 
BSM200GB120DLC 200A/1200V/2U 
BSM150GB120DLC 150A/1200V/2U 
BSM300GB120DLC 300A/1200V/2U 
BSM50GB170DN2 50A/1700V/2U 
BSM300GAR120DN2 300A/1200V/2U 
BSM100GB120DLCK 100A/100V/2U