IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小

北京京诚宏泰科技原装正品现货销售英飞凌IGBT斩波模块DF400R12KE3

VCES=1200V  IC=400A

62mmC series module with trench/field stop IGBT3 and Emitter Controlled High Efficiency diode

英飞凌IGBT斩波模块系列型号：

FD300R06KE3 in production AG-62MM-1 300.0 A 1.45 V Chopper Modules IGBT³ 62 mm 

FD600R06ME3_S2 in production AG-ECONOD-3 600.0 A 1.3 V Chopper Modules IGBT³ EconoDUAL™ 3 

FD600R12KF4 in production A-IHM130-2 600.0 A 2.7 V Chopper Modules IGBT² Standard IHM 130 mm 

FD200R12KE3 in production AG-62MM-1 200.0 A 1.7 V Chopper Modules IGBT³ 62 mm 

DF200R12KE3 in production AG-62MM-2 200.0 A 1.7 V Chopper Modules IGBT³ 62 mm 

FD300R12KE3 in production AG-62MM-1 300.0 A 1.7 V Chopper Modules IGBT³ 62 mm 

DF300R12KE3 in production AG-62MM-2 300.0 A 1.7 V Chopper Modules IGBT³ 62 mm 

FD400R12KE3 in production AG-62MM-1 400.0 A 1.7 V Chopper Modules IGBT³ 62 mm 

DF400R12KE3 in production AG-62MM-2 400.0 A 1.7 V Chopper Modules IGBT³ 62 mm