FUJI富士IGBT模块6MBI75S-120-50，N通道 IGBT 模块 发射极-集电极、六（3x双）, 100A 1200V,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

留言框

• 产品：

• 您的单位：

• 您的姓名：

• 联系电话：

• 常用邮箱：

• 省份：

  请选择您所在的省份 安徽 北京 福建 甘肃 广东 广西 贵州 海南 河北 河南 黑龙江 湖北 湖南 吉林 江苏 江西 辽宁 内蒙古 宁夏 青海 山东 山西 陕西 上海 四川 天津 新疆 西藏 云南 浙江 重庆 香港 澳门 中国台湾 国外

• 详细地址：

• 补充说明：

• 验证码：

  

  请输入计算结果（填写阿拉伯数字），如：三加四=7