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英飞凌1700V-IGBT模块FF300R17KE3

英飞凌1700V-IGBT模块FF300R17KE3

型    号: FF300R17KE3
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

详细资料:

北京京诚宏泰科技原装正品现货销售英飞凌1700V-IGBT模块FF300R17KE3

300A  1700V 62mm 2单元

62mmC-series module with trench/field stop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode

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FF900R12IE4
FF900R12IP4
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