英飞凌IGBT斩波模块FD800R33KF2C-K

型号：	FD800R33KF2C-K
报价：	9999

分享到：

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小

咨询订购

详细资料：

英飞凌IGBT斩波模块FD800R33KF2C-K IHM-A module

VCES = 3300V
IC nom = 800A / ICRM = 1600A

TypicalApplications
ChopperApplications
TractionDrives

MechanicalFeatures
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling
Capability

德国英飞凌（EUPEC）斩波电路IGBT
DF300R12KE3	FD200R12KE3	FD300R12KE3	FD400R12KF4
FD400R16KF4	FD400R17KF6-B2	FD400R33KF1	FD400R33KF2C
FD400R65KF1-K	FD600R12KF4	FD600R17KF6-B2	FD600R17KF6
FD800R17KF6-B2	FD800R33KF1	F4-300R12KF4	F4-400R12KF4
F4-400R12KS4-B2	FD800R33KF2	F4-150R06KL4