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英飞凌IGBT斩波模块FD800R33KF2C-K

英飞凌IGBT斩波模块FD800R33KF2C-K

型    号: FD800R33KF2C-K
报    价: 87
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

FD800R33KF2C-K英飞凌IGBT斩波模块FD800R33KF2C-K的详细资料:

英飞凌IGBT斩波模块FD800R33KF2C-K  IHM-A module

VCES = 3300V
IC nom = 800A / ICRM = 1600A

TypicalApplications
ChopperApplications
TractionDrives

MechanicalFeatures
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling
Capability

德国英飞凌(EUPEC) 斩波电路专用IGBT
DF300R12KE3 FD200R12KE3 FD300R12KE3 FD400R12KF4
FD400R16KF4 FD400R17KF6-B2 FD400R33KF1 FD400R33KF2C
FD400R65KF1-K FD600R12KF4 FD600R17KF6-B2 FD600R17KF6
FD800R17KF6-B2 FD800R33KF1 F4-300R12KF4 F4-400R12KF4
F4-400R12KS4-B2 FD800R33KF2 F4-150R06KL4  

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