英飞凌IGBT模块FF450R17ME3
北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块 IPM模块 可控硅 晶闸管 电容

英飞凌IGBT模块FF450R17ME3

销售国内外电力电子器件和功率模块；主要经销德国infneon（英飞凌）;EUPEC（优派克）、西门康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、东芝、日立、三社、三肯、因达，美国IR，瑞士ABB，英国西玛，西班牙CAEC等公司生产的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流桥、二极管、场效应模块；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法国罗兰

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IGBT

IGBT是什么？

IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。

• 优点：热稳定性好、安全工作区大。

• 缺点：击穿电压低，工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。

• 特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

• 电动机

• 不间断电源

• 太阳能面板安装

• 电焊机

• 电源转换器与反相器

• 电感充电器

• 电磁炉