详细资料：

英飞凌IGBT模块FZ2400R17KF4卡特电源配件

北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块；可控硅模块；整流桥模块；二极管模块；晶闸管；可控硅，电容，电源，风机，传感器，IPM模块;半导体功率模块;变频器配件 ，驱动板，控制板 ，CUVC板

彼得卡特电源IGBT模块FZ2400R17KF4

以下是关于 **英飞凌IGBT模块FZ2400R17KF4** 的详细信息整理：

---

### **1. 关键参数**

- **电压等级**：集射极击穿电压为 **1700 V**，适用于中高压场景。

- **电流能力**：连续集电极电流（Ic）为 **2400 A**，峰值电流（ICRM）可达更高值，适合高功率应用。

- **开关特性**：采用 **TRENCHSTOP™ IGBT7** 技术，具有低导通压降（VCE(sat)）和优化的开关损耗。

- **热性能**：工作结温（Tvj）范围为 **-40°C 至 175°C**，支持过载条件下的高温运行。

- **封装**：模块化设计，底座安装，封装型号为 **AG-62MM**，具备高爬电距离和电气间隙，符合 **UL1557** 认证。

---

### **2. 应用领域**

- **工业变频器**：用于西门子等品牌的变频器配件，支持高功率电机驱动。

- **新能源系统**：适用于太阳能逆变器、储能系统及不间断电源（UPS）。

- **牵引与运输**：在商用车辆、轨道交通的牵引系统中发挥高可靠性优势。

- **电焊与电源转换**：用于电焊机、电感充电器和电磁炉等高电流场景。

---

### **3. 技术优势**

- **高功率密度**：通过优化封装设计，减少并联需求，降低系统成本。

- **低损耗设计**：采用第四代沟槽栅/场终止技术，提升开关效率，减少热损耗。

- **强散热能力**：支持铜基板或AlSiC基板，提高热循环能力，适用于长期高负载运行。

- **驱动兼容性**：栅极电阻需根据具体应用优化，推荐参考数据手册值的1-2倍范围，以平衡开关速度与二极管反向恢复特性。

---

### **4. 供应商与价格**

- **供应商**：北京京诚宏泰科技有限公司（提供多品牌电力电子器件）。

- **参考价格**：约 **18,888 元/只**（具体成交价以合同协议为准）。

- **交货信息**：起订量≥1只，发货地位于北京昌平区或朝阳区。

---

### **5. 相关型号对比**

- **同系列型号**：  

  - **FZ2400R17HP4_B28**：类似电压/电流规格，价格约9,999元，工作温度上限为150°C。  

  - **FZ2400R17KF6C-B2**：优化续流二极管设计，适用于高di/dt场景。  

- **低电流版本**：如FZ1200R17KF4（1200A/1700V），价格约8,888元，适用于中等功率需求。

---

如需进一步了解驱动电路设计或技术文档，可参考英飞凌数据手册或联系供应商获取支持。

产品参数：

IHM B 1700 V 2400A 190 mm 单开关 IGBT 模块，配有第四代 沟槽栅/场终止 IGBT，

应用的解决方案

3300V IGBT模块型号：

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模块FZ1000R33HL3
IGBT模块FZ1000R33HE3
IGBT模块FZ1200R33HE3
IGBT模块FZ1500R33HE3
IGBT模块FZ1500R33HL3
IGBT模块FZ1600R33HE4
IGBT模块FZ1400R33HE4
IGBT模块FZ2400R33HE4
IGBT模块FF450R33T3E3
IGBT模块FZ825R33HE4D

特征描述

产品规格：

IGBT 类型：沟槽型场截止

配置：半桥

电压 - 集射极击穿：1700 V

电流 - 集电极 (Ic)：2400 A

电流 - 集电极截止：100 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)：122 nF @ 25 V

输入：标准

NTC 热敏电阻：无

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：模块

供应商器件封装：AG-62MM

产品特征：

高功率密度

的 VCE，SAT

Tvj op = 175°C 过载

高爬电距离和电气间隙

符合 RoHS 标准

4 kV AC 1 分钟绝缘

CTI > 400 的封装

通过 UL1557 E83336 获得 UL/CSA 认证

TRENCHSTOP™ IGBT7晶片

改進的EconoDUAL™ 3封裝

225、750和900A，1700V半橋模塊

的二極體，750A IGBT配1200A二極體（僅FF750R17ME7D_B11）

在過載情況下工作結溫可達到175°C

壓接式控制引腳

英飞凌IGBT模块FZ2400R17KF4卡特电源配件

优势：

具有高电流能力的现有封装，允许在相同框架尺寸的情况下增加逆变器输出功率

高功率密度

避免 IGBT 模块并联

通过简化逆变器系统降低系统成本

灵活性

高的可靠性

产品应用领域：

不间断电源（UPS）

储能系统

电机控制和驱动

商用、建筑和农用车辆 (CAV)

变频器

北京京诚宏泰科技有限公司是一家集渠道、分销、经销 、直销及OEM模式为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。

销售国内外品牌电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块；主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、

SIEMENS西门子、西门康Semikron、 IXYS艾赛斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon伟肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飞兆半导体、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因达NIEC，美国IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼尔；yaskawa安川；

英国西玛，西班牙CATELEC等公司生产的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶闸管、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德国伊凯基ELECTRONICON，法国汤姆逊TPC，日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

红宝石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力发、英国BHC，BHC Aerovox 电解电容以及美国CDE无感电容；瑞士CONCEPT IGBT驱动、光耦、变频器主控板、驱动板，电源板，通信板，接口板

操作面板

IGBT是什么？

IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。

优点：热稳定性好、安全工作区大。

缺点：击穿电压低，工作电流小。北京京诚宏泰科技有限公司英飞凌IGBT模块FZ2400R17KF4

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。

特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

电动机

不间断电源

太阳能面板安装

电焊机

电源转换器与反相器

电感充电器

电磁炉

第七代IGBT型号：

FF900R12ME7P_ B11

FF450R12ME7_ B11

FF900R12ME7W_ B11

FF900R12ME7_ B11

FF600R12ME7_ B11

FF800R12KE7

FF300R12ME7_ B11

FF750R12ME7_ B11

FF750R17ME7D_ B11

FF225R17ME7_ B11

FF1800R23IE7P

FF1800R23IE7

FF2400RB12IP7P

FF2400RB12IP7