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英飞凌IGBT模块FF900R17ME7_B11

英飞凌IGBT模块FF900R17ME7_B11

型    号: FF900R12ME7-B11
报    价: 8888
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英飞凌IGBT模块FF900R17ME7_B11
北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块;可控硅模块;晶闸管;二极管模块;整流桥模块;PLC模块;电容;变频器备件
第七代IGBT英飞凌FF900R17ME7_B11

详细资料:

英飞凌IGBT模块FF900R17ME7_B11

北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块;可控硅模块;整流桥模块;二极管模块;晶闸管;IPM模块

产品参数:

FF900R17ME7_B11  IGBT 模块 EconoDUAL™3模块采用第七代沟槽栅/场终止IGBT7和第七代发射极控制二极管带有温度检测NTC

FF900R17ME7_B11采用了英飞凌的第七代IGBT晶圆技术。IGBT7采用了微沟槽(Micro Pattern Trench)结构, 如图2所示。与IGBT4相比其静态损耗显著降低,并且动态损耗并没有增加。搭配新的第七代反并联二极管芯片—EmCon7能够实现更干净的开关,减小震荡,降低损耗。

新一代Best-in-Class的FF900R17ME7_B11,在相同的條件下,與前一代IGBT相比,逆變器的輸出電流可提高40%。FF750R17ME7D_B11 750A IGBT帶有一個加大的二極體(1200A),這是針對風能和靜態無功補償應用進行了優化。 

更高的模塊功率密度有助於避免IGBT模塊的並聯,從而簡化了逆變器的設計並降低了成本。




特征描述

  • 功率密度大

  • 优化的VCE sat

  • 过载允许Tvj op= 175°C

  • 改进的端子

  • 针对1500 V光伏应用所优化的爬电距离

  • PressFIT压接控制引脚和螺栓功率端子

  • 内置NTC温度传感器

  • 隔离的基板

  • 采用模制端子的紧凑而稳健的设计

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产品规格:

IGBT 类型:沟槽型场截止

配置:半桥

电压 - 集射极击穿:1700 V

电流 - 集电极 (Ic):900 A

电流 - 集电极截止:100 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies):122 nF @ 25 V

输入:标准

NTC 热敏电阻:无

工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:底座安装

封装/外壳:模块

供应商器件封装:AG-62MM

产品特征:

高功率密度

的 VCE,SAT

Tvj op = 175°C 过载

高爬电距离和电气间隙

符合 RoHS 标准

4 kV AC 1 分钟绝缘

CTI > 400 的封装

通过 UL1557 E83336 获得 UL/CSA 认证

TRENCHSTOP™ IGBT7晶片

改進的EconoDUAL™ 3封裝

225、750和900A,1700V半橋模塊

的二極體,750A IGBT配1200A二極體(僅FF750R17ME7D_B11)

在過載情況下工作結溫可達到175°C

壓接式控制引腳

北京京诚宏泰科技有限公司供应英飞凌IGBT模块FF900R17ME7_B11

优势:

具有高电流能力的现有封装,允许在相同框架尺寸的情况下增加逆变器输出功率

高功率密度

避免 IGBT 模块并联

通过简化逆变器系统降低系统成本

灵活性

高的可靠性

产品应用领域:

不间断电源(UPS)

储能系统

电机控制和驱动

商用、建筑和农用车辆 (CAV)

变频器

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北京京诚宏泰科技有限公司是一家集渠道、分销、经销 、直销及OEM模式为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。

销售国内外品牌电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块;主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、

SIEMENS西门子、西门康Semikron、 IXYS艾赛斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon伟肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飞兆半导体、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因达NIEC,美国IR,瑞士ABB,POWERSEM,NELL尼尔;yaskawa安川;

英国西玛,西班牙CATELEC等公司生产的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶闸管、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块;日本富士(FUJI)、

日之出(HINODE)、法国罗兰(FERRAZ)、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器;KEMET,意大利Arcotronics(AV),

Itelcond,意大利FACON,德国伊凯基ELECTRONICON,法国汤姆逊TPC,日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;

红宝石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力发、英国BHC,BHC Aerovox 电解电容以及美国CDE无感电容;瑞士CONCEPT IGBT驱动、光耦、变频器主控板、驱动板,电源板,通信板,接口板

操作面板


IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

优点:热稳定性好、安全工作区大。

缺点:击穿电压低,工作电流小。北京京诚宏泰科技有限公司供应IGBT模块FF900R17ME7_B11

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

电动机

不间断电源

太阳能面板安装

电焊机

电源转换器与反相器

电感充电器

电磁炉

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第七代IGBT型号:

FF900R12ME7P_ B11

FF450R12ME7_ B11

FF900R12ME7W_ B11

FF900R12ME7_ B11

FF600R12ME7_ B11

FF800R12KE7

FF300R12ME7_ B11

FF750R12ME7_ B11

FF750R17ME7D_ B11

FF225R17ME7_ B11

FF1800R23IE7P

FF1800R23IE7

FF2400RB12IP7P

FF2400RB12IP7

F3L400R10W3S7F_ B11

F3L600R10W4S7F_ C22

FS3L200R10W3S7F_ B94

F3L 400R10W3S7_ _B11

FS3L200R10W3S7F_ B11

FP15R12W1T7_ B3

FP15R12W1T7

FP15R12W1T7P_ B11

FP25R12W2T7

FP50R12W2T7_ B11

FP25R12W1T7

FP50R12W2T7

FP35R12W2T7_ B11

FP10R12W1T7_ B11

FP35R12W2T7

FP25R12W1T7_ B11

FP25R12W2T7_ B11

FP15R12W1T7_ _B11

FP10R12W1T7_ B3 

FP15R12W1T7P

FP100R12W3T7 B11


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