智能IGBT模块PM50RSD120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RSD120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM50CSE120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50CSE120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM50RSE120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RSE120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM50CSA120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50CSA120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

三菱IPM模块PM50RHA120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RHA120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM50CLA120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50CLA120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM50RSA120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RSA120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

三菱IPM模块PM75CSA120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75CSA120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。