智能IGBT模块PM75RSK060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75RSK060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM75CLA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75CLA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM100CSA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM100CSA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM100RSA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM100RSA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM100CLA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM100CLA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM100RLA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM100RLA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM50CBS120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50CBS120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。

智能IGBT模块PM50CSD120，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50CSD120，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。