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三菱IPM模块PM30CMA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30CMA060
2024-01-19
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3663
三菱IPM模块PM30CTJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30CTJ060
2024-01-19
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4508
三菱IPM模块PM30CNJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30CNJ060
2024-01-19
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三菱IPM模块PM20CVL060-33，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM20CVL060-33
2024-01-19
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三菱IPM模块PM20CTM060-3，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM20CTM060-3
2024-01-19
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三菱IPM模块PM20CUL060-32L，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM20CUL060-32L
2024-01-19
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三菱IPM模块PM20CHA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM20CHA060
2024-01-19
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三菱IPM模块PM20CNJ060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM20CNJ060
2024-01-19
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