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  • PM50CSD060三菱IPM模块PM50CSD060

    三菱IPM模块PM50CSD060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50CSD060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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    2024-01-19

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  • PM50RSD060三菱IPM模块PM50RSD060

    三菱IPM模块PM50RSD060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50RSD060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • PM50CTJ060-3三菱IPM模块PM50CTJ060-3

    三菱IPM模块PM50CTJ060-3,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM50CTJ060-3

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  • PM30RSF060三菱IPM模块PM30RSF060

    三菱IPM模块PM30RSF060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30RSF060

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  • PM30RMC060三菱IPM模块PM30RMC060

    三菱IPM模块PM30RMC060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30RMC060

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  • PM30RHC060三菱IPM模块PM30RHC060

    三菱IPM模块PM30RHC060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30RHC060

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  • PM30CNA060三菱IPM模块PM30CNA060

    三菱IPM模块PM30CNA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30CNA060

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  • PM30CTJ060-3三菱IPM模块PM30CTJ060-3

    三菱IPM模块PM30CTJ060-3,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30CTJ060-3

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