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420v3300uf EPCOS电容B43456-S0338-M1

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型    号: 伟肯电容
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Vacon伟肯变频器专用电容B43456-S0338-M1
420v3300uf电容B43456-S0338-M1

伟肯电容420v3300uf EPCOS电容B43456-S0338-M1的详细资料:

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EPCOS 420v3300uf 电容B43456-S0338-M1

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EPCOS电容B43456-S0338-M1

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铝电解电容器选型要点:

1.容量和额定工作电压:

在电容选型中,对电流变化频率高的地方要选用较大容量的电容,但并非容量越大越好,需要考虑容量增大,成本和体积可能会上升及电容越大充电电流就越大,充电时间也会越长等因素。     

常用的固定电容工作电压有6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、250V、400V、500V、630V。电容在电路中实际要承受的电压不能超过它的耐压值。在交流电路中,要注意所加的交流电压zui大值不能超过电容的直流工作电压值。

在滤波电路中,电容的耐压值不要小于交流有效值的1.42倍。其次需要考虑工作电压裕量,一般来说要在15%以上。让电容器的额定电压具有较多的余裕,能降低内阻、降低漏电流、降低损失角、增加寿命。

2.介质损耗:

电容器在电场作用下消耗的能量,通常用损耗功率和电容器的无功功率之比,即损耗角的正切值表示(在电容器的等效电路中,串联等效电阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比称之为 Tan δ。 ESR 是在 120Hz 下计算获得的值。显然,Tan δ随着测量频率的增加而变大,随测量温度的下降而增大)。损耗角越大,电容器的损耗越大,损耗角大的电容不适于高频情况下工作。

散逸因数dissipationfactor(DF)会以损失角tanδ表示,愈低愈好。此参数与温度、容量、电压、频率……都有关系;当容量相同时,耐压愈高的DF值就愈低。此外随温度,频率上升而升高。

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3.ESR:

电容器会因其构造而产生各种阻抗、感抗。ESR(等效串联电阻)及ESL(等效串联电感)是容抗的基础。一个等效串联电阻(ESR)很小的电容相对较大容量的外部电容能很好地吸收快速转换时的峰值(纹波)电流。用 ESR 大的电容并联更具成本效益。

4.纹波电流和纹波电压:

也称作涟波电流和涟波电压,即 ripple current,ripple voltage。含义是电容器所能耐受纹波电流/电压值。纹波电压等于纹波电流与ESR的乘积。

散逸因数dissipationfactor(DF)会以损失角tanδ表示,愈低愈好。此参数与温度、容量、电压、频率……都有关系;当容量相同时,耐压愈高的DF值就愈低。此外随温度,频率上升而升高。

当纹波电流增大的时,即使在 ESR 保持不变的情况下,纹波电压也会成倍提高。换言之,当纹波电压增大时,纹波电流也随之增大,这也是强调电容具备更低 ESR 值的原因。叠加入纹波电流后,由于电容内部的等效串连电阻(ESR)引起发热,从而影响到电容器的使用寿命。一般的,纹波电流与频率成正比,因此低频时纹波电流也比较低。

额定纹波电流是在zui高工作温度条件下定义的数值。而实际应用中电容的纹波承受度还跟其使用环境温度及电容自身温度等级有关。

5.漏电流:

电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而,由于铝氧化膜介质上浸有电解液,在施加电压时,重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常,漏电流会随着温度和电压的升高而增大。它的计算公式大致是:I=K×CV。漏电流I的单位是μA,K是常数。一般来说,电容器容量愈高,漏电流就愈大。从公式可得知额定电压愈高,漏电流也愈大,因此降低工作电压亦可降低漏电流。

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6.寿命: 

影响电容寿命的原因有很多,如过电压,逆电压,高温,急速充放电等,正常使用的情况下,zui大的影响就是温度,因为温度越高电解液的挥发损耗越快。需要注意的是这里的温度不是指环境或表面温度,是指铝箔工作温度

因电容的工作温度每增高10℃寿命减半,所以要注意寿命的测试温度。每个厂商都有温度和寿命的计算公式,在设计电容时要参照实际数据进行计算。需要了解的是要提高铝电解电容的寿命,*要降低工作温度,在PCB上远离热源,第二考虑使用zui高工作温度高的电容,当然价格也会高。

7.阻抗:

在特定的频率下,阻碍交流电流通过的电阻即为所谓的阻抗。它与电容等效电路中的电容值、电感值密切相关,且与 ESR 也有关系。电容的容抗在低频率随着频率的增加而减小,中频时电抗降至ESR的值。当频率达到高频时感抗变为主导,所以阻抗是随着频率的增加而增加。

开关电源中的输出滤波电解电容,其锯齿波电压频率高达数十kHz,甚至是数十MHz,这时电容量并不是其主要指标,衡量高频铝电解电容优劣的标准是“阻抗-频率"特性,要求在开关电源的工作频率内要有较低的等效阻抗,同时对于半导体器件工作时产生的高频尖峰信号具有良好的滤波作用。

8.外型尺寸:

外型尺寸与重量及接脚型态相关。single ended是径向引线式,screw是锁螺丝式,另外还有贴片铝电解电容等。一般来说,直径相同、容量相同的电容,高度低的可以代用高度大的电容,但是长度高的替代低的电容时就要考虑机构干涉问题。

散逸因数dissipationfactor(DF)会以损失角tanδ表示,愈低愈好。此参数与温度、容量、电压、频率……都有关系;当容量相同时,耐压愈高的DF值就愈低。此外随温度,频率上升而升高。


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