IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。 IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型（内部封装一个IGBT）、D型（内部封装两个IGBT）、C型（内部封装六个IGBT）和R型（内部封装七个IGBT）。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统，中大功率的IPM使用陶瓷绝缘

专业销售代理国内外电力电子器件和功率模块；主要代理及经销德国infneon（英飞凌）;EUPEC（优派克）、西门康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、东芝、日立、三社、三肯、因达，美国IR，瑞士ABB，英国西玛，西班牙CAEC等公司生产的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流桥、二极管、场效应模块；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法国罗兰

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