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东芝二极管IGBT模块
东芝二极管IGBT模块900GXHGZ41；铁路机车IGBT模块，TOSHIBA东芝高压二极管IGBT模块900GXHGZ41；北京京诚宏泰科技有限公司专业销售900GXHGZ41
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东芝IGBT模块MG900GXH1US53
东芝IGBT模块MG900GXH1US53；TOSHIBA东芝高压IGBT模块MG900GXH1US53；北京京诚宏泰科技有限公司专业销售MG900GXH1US53
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TOSHIBA东芝IGBT模块MG75Q2YS50
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小
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TOSHIBA东芝IGBT模块MG200Q2YS40
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小
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东芝IGBT模块MG50Q2YS40
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小
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