IGBT模块FZ1000R33HL3
点击次数：531 更新时间：2023-11-17
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品 | 采用1200V SiC M1H芯片的62mm半桥模块，最大规格1mΩ
新品
采用 1200V SiC M1H芯片的
62mm半桥模块，最大规格1mΩ
1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半桥模块现已上市。由于采用了 M1H芯片技术，模块在VGS(th)、RDS(on)漂移和栅极驱动电压窗口方面性能得到了改善。这些模块还提供预涂导热界面材料（TIM）版本。
相关产品：
1，2，6mΩ，1200V 62mm半桥模块
产品特点
集成体二极管，优化了热阻
最高的防潮性能
栅极氧化层可靠性
抗宇宙射线能力强
符合RoHS标准要求
应用价值
按照应用苛刻条件优化
更低的电压过冲
导通损耗最小
高速开关，损耗极低
对称模块设计实现对称的上下桥臂开关行为
标准模块封装技术确保可靠性
62毫米高产量生产线上生产
竞争优势
通过碳化硅扩展成熟的62毫米封装的产品，以满足快速开关要求和低损耗的应用。
电流密度最高，防潮性能强
应用领域
储能系统
电动汽车充电
光伏逆变器
UPS
